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英唐智控獲十年專利授權 與中天弘宇合作關系持續(xù)深化
所屬分類：公司動態(tài) 閱讀次數(shù)：14656 發(fā)布時間：2021-11-30
2021年11月29日，英唐智控與中天弘宇集成電路有限責任公司（以下簡稱“中天弘宇”）簽署了《專利授權許可合同》（以下簡稱“《授權合同》”），中天弘宇將與其新型閃存技術相關的5項專利使用權授權給英唐智控及其控股子公司、參股子公司用于芯片產(chǎn)品開發(fā)?！妒跈嗪贤返暮炇?，標志著雙方在新型閃存技術的產(chǎn)業(yè)化合作，尤其在電源管理芯片產(chǎn)品方面的合作得到進一步深化。
電源管理芯片是在電子設備系統(tǒng)中擔負起對電能的變換、分配、檢測及其他電能管理的職責的芯片，用于近乎所有電子產(chǎn)品和設備中。根據(jù)Frost&Sullivan統(tǒng)計，2020年全球電源管理芯片市場規(guī)模約328.8億美元，2016年至2020年年復合增長率為13.52%。其中以大陸為主的亞太地區(qū)是未來全球電源管理芯片最大的成長動力。NOR 閃存作為組成電源管理芯片的一部分，其大小、功耗和成本對電源管理芯片的大小、功耗和成本有著重要影響。傳統(tǒng)NOR閃存擁有讀取速度快、芯片內可執(zhí)行代碼等優(yōu)勢，但傳統(tǒng)結構的NOR閃存無法突破90nm柵極長度的技術瓶頸，導致NOR閃存的記憶單元面積無法降低到10F2以下，使其芯片成本居高不下。
中天弘宇的研發(fā)團隊在經(jīng)過十多年的持續(xù)研究，完成了對傳統(tǒng)NOR閃存機理和結構創(chuàng)新，其擁有自主知識產(chǎn)權的新型閃存創(chuàng)新技術，已被中國電子學會組辦的專家委員會鑒定為：在不改變現(xiàn)有標準CMOS工藝的情況下突破閃存的縮微技術瓶頸，“在非易失存儲領域屬國際首創(chuàng)技術”。其新型閃存技術應用于90nmBCD工藝的電源管理芯片，突破了目前市場上電源管理芯片130-180nm的主流工藝制程水平，顯示出了明顯的能耗和成本優(yōu)勢，具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。
公司于2020年11月與中天弘宇簽署協(xié)議，就其新型閃存技術的共同開發(fā)、產(chǎn)業(yè)化應用、IP共享等領域達成合作。此后，中天弘宇繼續(xù)推進新型閃存技術的IP驗證和專利申報工作，在2021年8月22日于上海舉辦的技術發(fā)布會上，中天弘宇向外界公布了運用了其新型閃存技術的國內某頭部代工廠商90nmBCD工藝平臺已經(jīng)通過產(chǎn)品流片驗證的重大進展。隨著中天弘宇IP驗證和專利申報工作的逐項完成，結合公司戰(zhàn)略規(guī)劃和市場需求，英唐智控與中天弘宇進一步在IP授權方面達成了合作并簽署了《專利授權許可合同》，合同約定英唐智控及其控股子公司、參股子公司可以使用授權專利技術用于開發(fā)自己的芯片產(chǎn)品，授權使用費總計1,000萬元并將根據(jù)產(chǎn)品開發(fā)進展分批支付，授權使用專利的期限為十年。通過專利授權方式，雙方將共同持續(xù)推動新型閃存技術的產(chǎn)業(yè)化應用進程。
本次授權專利能夠解決傳統(tǒng)NOR閃存技術中漏極源極的穿通、有效溝道長度無法縮減等問題，提高存儲單元的使用壽命和編程效率的同時降低了功耗，可以滿足閃存產(chǎn)品體積更小、研發(fā)效率更高的需求，從而降低研發(fā)生產(chǎn)成本。英唐智控擬以控股子公司英唐微技術、上海芯石、參股公司方為半導體的技術研發(fā)為基礎，借助中天弘宇在新型閃存方面的自主知識產(chǎn)權，研發(fā)設計應用于例如穿戴手環(huán)、智能手機、玩具、網(wǎng)通路由器、藍牙主芯片、網(wǎng)絡攝像機等領域相關的電源管理芯片產(chǎn)品。
新技術的產(chǎn)業(yè)化進程往往不是一蹴而就的，它離不開持續(xù)的投入和試錯，離不開合作伙伴的相互信任與支持。在為客戶提供更優(yōu)質的服務的共同目標下，相信本次合作深化將能加速推進新型閃存技術的產(chǎn)業(yè)化和公司電源管理芯片產(chǎn)品的研發(fā)進程，從而為未來提升公司競爭力和盈利能力夯實基礎。
以下附表為本次英唐智控取得中天弘宇的授權專利：
